Un tampone più sottile di un singolo filamento di DNA potrebbe portare chipmaking oltre l’era del silicio: i ricercatori della National Yang Ming Chiao Tung University (NYCU) e TSMC Corporate Research hanno progettato un interstrato di ossido di alluminio appena 0,42 nanometri di spessore che, per la prima volta, rende transistor costruiti dal materiale 2D disolfuro di molibdeno (MoS2) controllabili e ad alta performatura contemporaneamente. Lo studio è stato pubblicato il 9 agosto 2026 sulla rivista Nature Electronics.
Perché il silicio sta esaurendo la stanza
I trasmettitori classici in silicio possono essere a malapena distrutti ulteriormente senza correnti di fuga e problemi di controllo che prendono il sopravvento. Semiconduttori bidimensionali come MoS2, il cui canale è solo un singolo strato atomico, sono visti come una via d’uscita. Il punto di appiattimento è stato l’interfaccia tra quel canale ultrathin e l’insulatore del cancello sopra di esso: materiali comuni ad alto-κ come il trasporto di carica di ossido di hafnium dirompente quando depositato direttamente sul canale.
Cosa fa il buffer di alluminio-ossido
Il team ha evaporato un sottile film in alluminio e ha lasciato ossidare in ossido di alluminio 0,42 nanometri prima di aggiungere l’ossido di hafnium sopra. Questo buffer atomico protegge il canale senza sacrificare l’accoppiamento elettrostatico. A una lunghezza del canale di circa 100 nanometri, i ricercatori hanno raggiunto uno spessore equivalente di ossido di circa un nanometro e una transconduttanza di 0,45 mS/μm — figure che combinano il controllo stretto con la mobilità elevata del vettore.
Ancora fase di laboratorio, ma un passo concreto
Un importante avvertimento: questo è un risultato di laboratorio, non un processo di produzione finito. Gli autori sottolineano che il processo deve ancora essere ottimizzato per la produzione di massa su scala wafer. Ma il coinvolgimento diretto del produttore di contratti TSMC presta l’approccio vero peso industriale sulla strada a nodi di chip oltre il segno di un-nanometro.
Fonti: ScienceDaily: una svolta di 0.42-nanometer potrebbe spingere i transistor oltre il silicio · Elettronica Naturale (9 agosto 2026) · SemiWiki: analisi della svolta TSMC
